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SI1012R-T1-GE3
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제품정보
대표부품번호:

SI1012R-T1-GE3

대표브랜드: SIMENS
대표부품설명: MOSFET N-CH 20V 500MA SC-75A

기술자료
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2459400
SI1012R-T1-GE3VISHAY SILICONIXMOSFET, N CHANNEL, 20V, 600mA, SOT-416-3
4547

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15478
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1825833211SI1012R-T1-GE3VISHAYMOSFET, N CH, 20V, 0.6A, SOT-416
6000

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6000~250 (275)



1834120171SI1012R-T1-GE3SILICONIX (VISHAY)Single N-Channel 20 V 0.7 Ohms Surface Mount Power Mosfet - SC-75A
배송비5만원
66000

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15000~292 (321)



1837003588SI1012R-T1-GE3VISHAYTransistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.35A; 0.08W; SC75A
1855

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2335266
SI1012R-T1-GE3VISHAY SILICONIXMOSFET, N CH, 20V, 0.6A, SOT-416
7425

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1822864752SI1012R-T1-GE3VISHAY SILICONIXMOSFET, N CH, 20V, 0.6A, SOT-416
255000

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1822499535SI1012R-T1-GE3VISHAY SILICONIXMOSFET, N CH, 20V, 0.6A, SOT-416
257437

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152452236SI1012R-T1-GE3Vishay/SiliconixMOSFET, N CH, 20V, 0.6A, SOT-416
104525

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1~669 (736)
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100~426 (469)
500~380 (418)
1000~293 (322)
3000~266 (293)
6000~249 (274)



210804952SI1012R-T1-GE3Vishay IntertechnologiesMOSFET 20V 0.6A 175mW 700mohm @ 4.5V
405000

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210570833SI1012R-T1-GE3Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 0.5A 3-Pin SC-75A T/R
3000

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1834120172SI1012R-T1-GE3SILICONIX (VISHAY)SILICONIX (VISHAY)
0

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제품스펙
Transistor PolarityN Channel Continuous Drain Current Id600mA
Drain Source Voltage Vds20V On Resistance Rds(on)0.41ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs4.5V Threshold Voltage Vgs900mV
Power Dissipation Pd150mW Transistor Case StyleSOT-416
No. of Pins3 Operating Temperature Max150°C
MSLMSL 1 - Unlimited Operating Temperature Min-55°C







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