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SI1025X-T1-GE3
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    제품정보
    대표부품번호:

    SI1025X-T1-GE3

    대표브랜드: SIMENS
    대표부품설명: MOSFET, P CHANNEL, -60V, -190mA, SC-89-6

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    1834120184SI1025X-T1-GE3SILICONIX (VISHAY)Si1025X Series P-Channel 60 V 4 Ohm 250 mW Surface Mount Power Mosfet - SC-89
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    2335271
    SI1025X-T1-GE3VISHAY SILICONIXMOSFET, DUAL P CH, -60V, -0.19A, SC-89
    17283

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    211897371SI1025X-T1-GE3Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 0.19A 6-Pin SC-89 T/R
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    1822497032SI1025X-T1-GE3VISHAY SILICONIXMOSFET, P CHANNEL, -60V, -190mA, SC-89-6
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    1822497481SI1025X-T1-GE3VISHAY SILICONIXMOSFET, P CHANNEL, -60V, -190mA, SC-89-6
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    152461594SI1025X-T1-GE3Vishay/SiliconixMOSFET, P CHANNEL, -60V, -190mA, SC-89-6
    157018

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    212973240SI1025X-T1-GE3Vishay IntertechnologiesMOSFET -60V Vds 20V Vgs SC89-6
    45000

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    211897372SI1025X-T1-GE3Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 0.19A 6-Pin SC-89 T/R
    9000

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    212973241SI1025XT1GE3Vishay IntertechnologiesSmall Signal Field-Effect Transistor, 0.19A I(D),
    6000

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    212973239SI1025X-T1-GE3Vishay IntertechnologiesMosfet, P Channel, -60V, -190Ma, Sc-89-6, Transi
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    제품스펙
    Channel TypePMaximum Continuous Drain Current135 mA
    Maximum Drain Source Voltage60 VPackage TypeSC-89-6
    Mounting TypeSurface MountPin Count6
    Maximum Drain Source Resistance8 ΩChannel ModeEnhancement
    Minimum Gate Threshold Voltage1Maximum Power Dissipation250 mW
    Transistor ConfigurationIsolatedMaximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
    Typical Gate Charge @ Vgs1.7 nC @ 15 VTransistor MaterialSi
    Number of Elements per Chip2Maximum Operating Temperature+150 °C
    Width1.2Length1.7
    Minimum Operating Temperature-55 °CHeight0.6







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