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SIS435DNT-T1-GE3
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제품정보
대표부품번호:

SIS435DNT-T1-GE3

대표브랜드: SIMENS
대표부품설명: MOSFET P-CH 20V 30A 1212-8

기술자료
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1829539311SIS435DNT-T1-GE3VISHAYMOSFET P-CH 20V 30A 1212-8
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1827697510SIS435DNT-T1-GE3VISHAY SILICONIXMOSFET P-CH 20V 30A 1212-8
2165

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500~653 (718)
1000~523 (575)



1827697507SIS435DNT-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET P-CH 20V 30A 1212-8
5966

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500~658 (724)
1000~527 (580)
3000~494 (543)



212365767SIS435DNT-T1-GE3Vishay IntertechnologiesMOSFET -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8T
3000

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1827697509SIS435DNT-T1-GE3VISHAY SILICONIXMOSFET P-CH 20V 30A 1212-8
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제품스펙
Channel TypePMaximum Continuous Drain Current22 A
Maximum Drain Source Voltage20 VPackage TypePowerPAK 1212
Mounting TypeSurface MountPin Count8
Maximum Drain Source Resistance14 mΩChannel ModeEnhancement
Minimum Gate Threshold Voltage0.4Maximum Power Dissipation39 W
Transistor ConfigurationSingleMaximum Gate Source Voltage-8 V, +8 V
Width3.4Number of Elements per Chip1
Maximum Operating Temperature+150 °CLength3.4
Typical Gate Charge @ Vgs98 nC @ 8 VTransistor MaterialSi
Minimum Operating Temperature-55 °CHeight0.8







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