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IPP023NE7N3GXKSA1
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    제품정보
    대표부품번호:

    IPP023NE7N3GXKSA1

    대표브랜드: SIMENS
    대표부품설명: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 300W; PG-TO220-3

    기술자료
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    1836007532IPP023NE7N3GXKSA1INFINEONMOSFET, N-Channel, 75V, 120A, TO-220-3
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    1828199963IPP023NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesTransistor MOSFET
    2138

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    1825194513IPP023NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesTransistor MOSFET
    24

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    1829384726IPP023NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesTransistor MOSFET
    8

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    2212851
    IPP023NE7N3GXKSA1INFINEONMOSFET, N-CH, 75V, 120A, TO220
    657

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    1828199961IPP023NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesTransistor MOSFET
    15

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    212715099
    생산용 포장
    IPP023NE7N3GXKSA1Infineon Technologies AGMOSFET N-Channel 75V 120A OptiMOS TO220, TU
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    32

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    1834087107IPP023NE7N3GXKSA1INFINEONINFINEON
    0

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     업데이트: 2023-03-09






    제품스펙
    Channel TypeNMaximum Continuous Drain Current120 A
    Maximum Drain Source Voltage75 VPackage TypeTO-220
    Mounting TypeThrough HolePin Count3
    Maximum Drain Source Resistance2.3 mΩChannel ModeEnhancement
    Maximum Power Dissipation300 WTransistor ConfigurationSingle
    Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 VTypical Gate Charge @ Vgs155 nC @ 10 V
    Transistor MaterialSiLength10.36
    Number of Elements per Chip1Width4.57
    Maximum Operating Temperature+175 °CSeriesOptiMOS 3
    Forward Diode Voltage1.2Minimum Operating Temperature-55 °C
    Height15.95







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