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BSH103,215
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    제품정보
    대표부품번호:

    BSH103,215

    대표브랜드: NXP SEMICONDUCTORS
    대표부품설명: MOSFET, N, 30V, 0.85A, SOT-23, REEL 3K

    기술자료
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    213060352BSH103,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 0.85A 3-Pin SOT-23 T/R
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    2336818
    BSH103,215NXP SemiMOSFET, N, 30V, 0.85A, SOT-23, REEL 3K
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    212317078BSH103,215NexperiaMOSFET, N-CH, 30V, 0.85A, 0.75W, SOT-23, Channel
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    213039714BSH103,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 0.85A 3-Pin SOT-23 T/R
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    1081307
    BSH103,215NXP SemiMOSFET, N, 30V, 0.85A, SOT-23
    123718

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    213107192BSH103,215Nexperia
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    213039713BSH103,215Nexperia
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    213039717BSH103,215Nexperia
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    1000~194 (213)



    150756316BSH103,215NXP SEMICONDUCTORSMOSFET, N, 30V, 0.85A, SOT-23, REEL 3K
    141177

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    1831474165BSH103,215NexperiaBSH103,215 N-Channel MOSFET, 850 mA, 30 V, 3-Pin SOT-23 Nexperia
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    1705426039
    생산용 포장
    BSH103,215NXP SEMICONDUCTORSBSH103,215 N-Channel MOSFET, 850 mA, 30 V, 3-Pin SOT-23 Nexperia
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    1705426038BSH103,215NXP SEMICONDUCTORSBSH103,215 N-Channel MOSFET, 850 mA, 30 V, 3-Pin SOT-23 Nexperia
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    1705668670
    생산용 포장
    BSH103,215NXP SEMICONDUCTORSMOSFET, N, 30V, 0.85A, SOT-23, REEL 3K
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    213461485BSH103,215NexperiaMOSFET 30V N-CHANNEL
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    213468442BSH103,215NexperiaMOSFET 30V N-CHANNEL
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    213039716BSH103,215NexperiaMOSFET 30V N-CHANNEL
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    213461484BSH103,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 0.85A 3-Pin SOT-23 T/R
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    213039715BSH103,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 0.85A 3-Pin SOT-23 T/R
    102000

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    213060353BSH103,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 0.85A 3-Pin SOT-23 T/R
    4119

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    213468443BSH103,215NexperiaBSH103 - 30 V, N-channel Trench MOSFET
    650

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    213461486BSH103,215NexperiaBSH103 - 30 V, N-channel Trench MOSFET
    650

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    1834487800BSH103,215NexperiaNEXPERIA
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    제품스펙
    Channel TypeNMaximum Continuous Drain Current850 mA
    Maximum Drain Source Voltage30 VPackage TypeSOT-23
    Mounting TypeSurface MountPin Count3
    Maximum Drain Source Resistance400 mΩChannel ModeEnhancement
    Minimum Gate Threshold Voltage0.4Maximum Power Dissipation500 mW
    Transistor ConfigurationSingleMaximum Gate Source Voltage-8 V, +8 V
    Number of Elements per Chip1Maximum Operating Temperature+150 °C
    Length3Typical Gate Charge @ Vgs2.1 nC @ 4.5 V
    Width1.4Transistor MaterialSi
    Height1Minimum Operating Temperature-55 °C


    * 유사제품    BSH103,215  BSH105,215  BSH108  BSH108,215  BSH10-E  BSH111,215  BSH111BK  BSH114  BSH114,215  BSH121,135  BSH14-D  BSH14-Q  BSH18-Q  





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