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2N3637
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제품정보
대표부품번호:

2N3637

대표브랜드: MICROSEMI
대표부품설명: Trans GP BJT PNP 175V 1A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag

기술자료
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18200121472N3637MICROSEMITRANSISTOR
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해외 재고
 업데이트: 2014-10-01





제품스펙
Transistor PolarityPNP Collector Emitter Voltage V(br)ceo175V
Transition Frequency ft200MHz Power Dissipation Pd5W
DC Collector Current1A DC Current Gain hFE50
Transistor Case StyleTO-39 No. of Pins3
Operating Temperature Max200°C MSL-
Collector Emitter Voltage Vces500mV Current Ic Continuous a Max1A
Gain Bandwidth ft Typ200MHz Hfe Min50
Operating Temperature Min-65°C Operating Temperature Range-65°C to +200°C
Termination TypeThrough Hole


* 유사제품    2N3614  2N3635  2N3637  2N3637UB  2N3645  2N3663  2N3669  2N3670  2N3670  





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