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- TRANSISTOR, JFET P TO-92
- Transistor Type:JFET
- Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min:-15mA
- Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max:8V
- Power Dissipation Pd:350mW
- Transistor Case Style:TO-92
- No. of Pins:3
- SVHC:No SVHC (16-Dec-2013)
- Application Code:GPA
- Breakdown Voltage Vbr:20V
- Current Idss Max:15mA
- Current Idss Min:300μA
- Current Ig:15mA
- Drain Source Voltage Vds:20V
- Forward Transconductance Gfs Max:5mA/V
- Full Power Rating Temperature:25°C
- Gfs Min:0.8mA/V
- No. of Transistors:1
- Pin Configuration:k
- Power Dissipation Ptot Max:360mW
- Termination Type:Through Hole
- Transistor Polarity:P Channel
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（부가세 포함가) | 주문수량 | 주문/견적 |
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| 제품스펙 |
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| Manufacturer | ON Semiconductor | Packaging | Bulk | | Part Status | Obsolete | FET Type | P-Channel | | Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) | 20V | Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 300μA @ 10V | | Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id | 8V @ 10μA | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 32pF @ 10V | | Power - Max | 350mW | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | | Mounting Type | Through Hole | Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | | Supplier Device Package | TO-92-3 | Base Part Number | 2N3820 | |
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