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SI4134DY-T1-GE3
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    제품정보
    대표부품번호:

    SI4134DY-T1-GE3

    대표브랜드: SIMENS
    대표부품설명: MOSFET, N-CH, 30V, 14A, SO8

    기술자료
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    1826809054SI4134DY-T1-GE3VISHAYMOSFET, N-CH, 30V, 14A, SO8
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    1829537646SI4134DY-T1-GE3VISHAYMOSFET, N-CH, 30V, 14A, SO8
    3990

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    1779239
    SI4134DY-T1-GE3VISHAYMOSFET, N-CH, 30V, 14A, SO8
    65798

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    5000~369 (406)



    1829712364SI4134DY-T1-GE3VISHAYTransistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11.2A; 3.2W; SO8
    7211

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    1831680954SI4134DY-T1-GE3VISHAYSI4134DY-T1-GE3 N-Channel MOSFET, 9.9 A, 30 V, 8-Pin SOIC Vishay
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    1827144620
    생산용 포장
    SI4134DY-T1-GE3VISHAYMOSFET, N-CH, 30V, 14A, SO8
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    1826607498SI4134DY-T1-GE3VISHAYMOSFET, N-CH, 30V, 14A, SO8
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    212590807SI4134DY-T1-GE3Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8
    7500

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     업데이트: 2023-02-21



    1834995580SI4134DY-T1-GE3VISHAYN-CH 30V 14A 14mOhm SO-8
    5000

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     업데이트: 2024-04-12



    212590805SI4134DY-T1-GE3Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 9.9A 8-Pin SOIC N T/R
    4980

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    1834418118SI4134DY-T1-GE3SILICONIX (VISHAY)Single N-Channel 30 V 14 mOhm Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8
    0

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     업데이트: 2023-02-21






    제품스펙
    Channel TypeNMaximum Continuous Drain Current9.9 A
    Maximum Drain Source Voltage30 VPackage TypeSOIC
    Mounting TypeSurface MountPin Count8
    Maximum Drain Source Resistance14 mΩChannel ModeEnhancement
    Minimum Gate Threshold Voltage1.2Maximum Power Dissipation2.5 W
    Transistor ConfigurationSingleMaximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
    Width4Number of Elements per Chip1
    Maximum Operating Temperature+150 °CLength5
    Typical Gate Charge @ Vgs15.4 nC @ 10 V, 7.3 nC @ 4.5 VTransistor MaterialSi
    Minimum Operating Temperature-55 °CHeight1.5







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