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- TRANSISTOR, PNP, TO-92
- Transistor Polarity:PNP
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V
- Power Dissipation Pd:625mW
- DC Collector Current:200mA
- DC Current Gain hFE:60
- Operating Temperature Range:-55°C to +150°C
- Transistor Case Style:TO-92
- No. of Pins:3
- Collector Emitter Voltage Vces:0.6V
- Continuous Collector Current Ic Max:200mA
- Current Ic Continuous a Max:200mA
- Current Ic hFE:2mA
- Device Marking:BC212
- Gain Bandwidth ft Min:200MHz
- Hfe Min:60
- No. of Transistors:1
- Package / Case:TO-92
- Pin Configuration:f
- Power Dissipation:625mW
- Power Dissipation Ptot Max:625mW
- SVHC (Secondary):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
- Termination Type:Through Hole
- Transistor Type:Bipolar
- Voltage Vcbo:60V
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- 수동소자, 소캣, LED제품 절대 교환, 취소, AS 불가
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단위 | 수량별 판매단가
（부가세 포함가) | 주문수량 | 주문/견적 |
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| 제품스펙 |
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| Transistor Polarity | PNP
| Collector Emitter Voltage V(br)ceo | 50V
| | Power Dissipation Pd | 625mW
| DC Collector Current | 200mA
| | DC Current Gain hFE | 60
| Operating Temperature Range | -55°C to +150°C
| | Transistor Case Style | TO-92
| No. of Pins | 3
| | Collector Emitter Voltage Vces | 0.6V
| Continuous Collector Current Ic Max | 200mA
| | Current Ic Continuous a Max | 200mA
| Current Ic hFE | 2mA
| | Device Marking | BC212
| Gain Bandwidth ft Min | 200MHz
| | Hfe Min | 60
| No. of Transistors | 1
| | Package / Case | TO-92
| Pin Configuration | f
| | Power Dissipation | 625mW
| Power Dissipation Ptot Max | 625mW
| | SVHC (Secondary) | Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
| Termination Type | Through Hole
| | Transistor Type | Bipolar
| Voltage Vcbo | 60V | |
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