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| 제품스펙 |
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- TRANSISTOR, NPN, 80V, 3A, SOT32
- Transistor Polarity:NPN
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V
- Transition Frequency ft:50MHz
- Power Dissipation Pd:12.5W
- DC Collector Current:3A
- DC Current Gain hFE:50
- Transistor Case Style:SOT-32
- No. of Pins:3
- Operating Temperature Max:150°C
- MSL:-
- SVHC:No SVHC (20-Jun-2013)
- Collector Emitter Voltage Vces:300mV
- Current Ic Continuous a Max:500mA
- Gain Bandwidth ft Typ:50MHz
- Hfe Min:50
- Operating Temperature Min:-65°C
- Operating Temperature Range:-65°C to +150°C
- Termination Type:Through Hole
- Transistor Type:Power Bipolar
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（부가세 포함가) | 주문수량 | 주문/견적 |
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| 제품스펙 |
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| Transistor Polarity | NPN | Collector Emitter Voltage V(br)ceo | 80V | | Transition Frequency ft | 50MHz | Power Dissipation Pd | 12.5W | | DC Collector Current | 3A | DC Current Gain hFE | 50 | | Transistor Case Style | SOT-32 | No. of Pins | 3 | | Operating Temperature Max | 150°C | MSL | - | | SVHC | No SVHC (20-Jun-2013) | Collector Emitter Voltage Vces | 300mV | | Current Ic Continuous a Max | 500mA | Gain Bandwidth ft Typ | 50MHz | | Hfe Min | 50 | Operating Temperature Min | -65°C | | Operating Temperature Range | -65°C to +150°C | Termination Type | Through Hole | | Transistor Type | Power Bipolar |
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