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C2M0080120D
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    제품정보
    대표부품번호:

    C2M0080120D

    대표브랜드: CREE
    대표부품설명: MOSFET, N-CH, 1200V, 31.6A, SIC, TO247

    기술자료
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    2361496
    		C2M0080120DCREEMOSFET, N-CH, 1200V, 31.6A, SIC, TO247
    		2656

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     업데이트: 2024-02-14

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    60~31,987 원 (35,186 원)
    120~30,969 원 (34,066 원)



    1827031546
    생산용 포장    		C2M0080120DWOLFSPEEDSiC N-Channel MOSFET, 31 A, 1200 V, 3-Pin TO-247 Wolfspeed C2M0080120D
    		10

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    1831480931C2M0080120DWOLFSPEEDSiC N-Channel MOSFET, 31 A, 1200 V, 3-Pin TO-247 Wolfspeed C2M0080120D
    		120

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    1826534646C2M0080120DCREEC2M0080120D SiC N-Channel MOSFET, 31 A, 1200 V, 3-Pin TO-247 Wolfspeed
    		25

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    1~38,850 원 (42,735 원)
    8~38,172 원 (41,989 원)
    40~31,415 원 (34,557 원)



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    단위    		수량별 판매단가
    （부가세 포함가)    		주문수량주문/견적
    212581003C2M0080120DWOLFSPEEDTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) TO-2
    		0

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     업데이트: 2023-02-20






    제품스펙
    PackagingBulkPackage / CaseTO-247-3
    Mounting TypeThrough HoleOperating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
    TechnologySiCFET (Silicon Carbide)FET TypeN-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C36A (Tc)Rds On (Max) @ Id, Vgs98mOhm @ 20A, 20V
    FET Feature-Power Dissipation (Max)192W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 5mASupplier Device PackageTO-247-3
    Part StatusNot For New DesignsDrive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)20V
    Vgs (Max)+25V, -10VDrain to Source Voltage (Vdss)1200 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs62 nC @ 5 VInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds950 pF @ 1000 V





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