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BSP135H6327XTSA1
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제품정보
대표부품번호:

BSP135H6327XTSA1

대표브랜드: SIMENS
대표부품설명: BSP135H6327XTSA1 N-Channel MOSFET, 120 mA, 600 V Depletion SIPMOS, 3+Tab-Pin SOT-223 Infineon

기술자료
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1835788765BSP135H6327XTSA1INFINEONMOSFET, N-Channel, 600V, 120mA, SOT-223
950

해외 재고
 업데이트: 2024-06-03

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500~1,031 (1,134)
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1829023394BSP135H6327XTSA1Infineon TechnologiesTransistor MOSFET
1277

해외 재고
 업데이트: 2024-06-03

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1~1,256 (1,382)
10~1,022 (1,124)
50~855 (941)
100~807 (888)



2480625RL
생산용 포장
BSP135H6327XTSA1INFINEONMOSFET, N-CH, 600V, 0.12A, SOT-223-4
18901

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 업데이트: 2024-02-14

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500~1,077 (1,185)
1000~875 (963)
2000~855 (941)



2480625
BSP135H6327XTSA1INFINEONMOSFET, N-CH, 600V, 0.12A, SOT-223-4
18901

해외 재고
실재고 체크
 업데이트: 2024-02-14

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 패키지 단위 : 1
1~1,990 (2,189)
10~1,636 (1,800)
100~1,269 (1,396)
500~1,077 (1,185)
1000~875 (963)
2000~855 (941)



210754212BSP135H6327XTSA1Infineon Technologies AGTrans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive 4-Pin(3+T
4000

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 업데이트: 2023-05-30



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단위
수량별 판매단가
(부가세 포함가)
주문수량주문/견적
1834066166BSP135H6327XTSA1INFINEONINFINEON
0

해외 재고
실재고 체크
 업데이트: 2023-05-30






제품스펙
Channel TypeNMaximum Continuous Drain Current120 mA
Maximum Drain Source Voltage600 VPackage TypeSOT-223
Mounting TypeSurface MountPin Count3
Maximum Drain Source Resistance45 ΩChannel ModeDepletion
Maximum Power Dissipation1.8 WTransistor ConfigurationSingle
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 VNumber of Elements per Chip1
Maximum Operating Temperature+150 °CLength6.5
Typical Gate Charge @ Vgs3.7 nC @ 5 VWidth3.5
Transistor MaterialSiHeight1.6
Minimum Operating Temperature-55 °CSeriesSIPMOS







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